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    本發明係關於一種電子裝置用組成物；也就是說，本發明之目的係在電子裝置之構裝製程，提供一種成為即使是進行加溫也在作業不發生問題之黏度之組成物。本發明係關於一種包含(a)(甲基)丙烯化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)具有金屬捕集機能之官能基之粒子的電子裝置用組成物。
    公开号:TW201319199A
    申请号:TW101130740
    申请日:2012-08-24
    公开日:2013-05-16
    发明作者:Yusuke Horiguchi；Kenichiro Sato；Sano Mieko
    申请人:Henkel Ag & Co Kgaa；
    IPC主号:H01L23-00
    专利说明:
    電子裝置用組成物
    本發明係關於一種可以使用在電子裝置、特別是半導體裝置之製造組成物以及該組成物之使用。 【背景技術】
    作為半導體晶片之構裝技術已習知半導體晶片直接地連接在基板上之覆晶技術。在該覆晶構裝，透過形成於半導體晶片之元件形成面側之電極(凸塊)而連接半導體晶片和配線基板。在此時，為了接合部分之補強或連接可靠性之提升等，因此，一般在半導體晶片和配線基板之間，進行接著劑組成物之底膠材之填充。
    作為底膠用組成物已習知包含環氧系化合物及/或(甲基)丙烯系化合物等之接著劑組成物(例如專利文獻1等)。在這些當中，組成物係利用(甲基)丙烯化合物之自由基硬化反應，組成物係具有比起包含環氧系化合物之組成物，反應速度更加地迅速，可以提高電子裝置之製造效率之優點。
    另一方面，在底膠用組成物中，配合需要而混合金屬離子結合劑、氧化防止劑等之各種添加劑。可以藉此而防止例如由於來自配線之金屬離子之析出來造成之移動發生等，提高電子裝置之品質(專利文獻2、3)。
    作為底膠材之填充方法已習知：在配線基板上塗佈液體狀之接著劑組成物後，搭載半導體晶片，同時進行電極之結合和密封之方法；在進行半導體晶片上之電極和基板之電連接之後，在晶片之某一邊或複數邊，塗佈液體狀之接著劑組成物，利用毛細管現象而密封配線基板和半導體晶片之間隙之方法(所謂毛細管方式)等。在這些方法，要求：液體狀之接著劑組成物，遍佈地塗佈於配線基板上；在半導體晶片和配線基板之間隙，均勻地填充液體狀之接著劑組成物等。因此，也配合需要，藉由注射器或者是加熱基板等至室溫以上，而提高接著劑組成物之流動性。
    但是，將利用自由基硬化反應之底膠材予以使用之時，在進行密封之前，進行底膠用組成物之硬化反應，發生無法良好地進行電極之結合或者是作業效率變差之問題。這些問題係特別如前述，在接著劑組成物成為室溫以上狀態之情況或者是在含電極部分銅等之金屬或其離子接觸組成物之情況下，容易發生。為了解決該問題，故於底膠用組成物混合添加劑，或者是降低作業時之溫度，但是，仍無法充分地進行。因此，要求使用於電子裝置之接著劑組成物需更加改善。 〔先前技術文獻〕 ［專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本特開2010-226098號公報
    〔專利文獻2〕日本特開2005-333085號公報
    〔專利文獻3〕日本特開2008-98646號公報 【發明之概要】

    本發明之目的係提供一種組成物，解決在使用習知之接著劑組成物之狀態下之前述問題點，提高電子裝置之生產性。此外，以提供包含該組成物之電子裝置或電子機器作為目的。
    本發明係關於以下之事項。
    1.一種電子裝置用組成物，係包含(a)(甲基)丙烯化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)具備金屬捕集機能之官能基之粒子。
    2.前述1所記載之組成物，係選自前述具有金屬捕集機能之官能基由羧基、胺基和咪唑基組成之群組。
    3.前述1或2所記載之組成物，係前述之粒子，具備金屬捕集機能之官能基之多孔質聚苯乙烯及/或二氧化矽凝膠。
    4.前述1至3中任一項所記載之組成物，係前述之馬來酸酐縮亞胺化合物，包含雙馬來酸酐縮亞胺。
    5.前述1至4中任一項所記載之組成物，係包含自由基起始劑。
    6.前述1至5中任一項所記載之組成物，使用作為底膠材。
    7.前述1至6中任一項所記載之組成物，使用於覆晶構裝。
    8.一種電子裝置，係包含前述1至7中任一項所記載之組成物。
    9.一種電子機器，係包含前述8所記載之電子裝置。
    本發明之組成物充分控制在室溫以上、80℃以下之硬化反應之進行。因此，可以在半導體晶片之覆晶構裝，充分地抑制硬化反應之進行，使其不會造成電極結合之不良原因，並且，確保構裝製程之充分之作業時間。可以藉此不因覆晶構裝而降低之電子裝置之生產效率，提供更高品質之製品。【發明之實施形態】
    本發明之電子裝置用組成物係至少包含(a)(甲基)丙烯化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)將具備金屬捕集機能之官能基用以具有之粒子。在以下，就各成分進行說明。 <(a)(甲基)丙烯化合物>
    使用於本發明之(甲基)丙烯化合物係具有1個以上之(甲基)丙烯醯基，最佳者為具有2個以上之(甲基)丙烯醯基。通常，最佳者為具有2個之(甲基)丙烯醯基之化合物，配合需要加入具有1個之(甲基)丙烯醯基之化合物及/或具有3個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物來使用。此外，(甲基)丙烯化合物係可以是單體，也可以是寡聚物。
    作為可以使用於本發明之(甲基)丙烯化合物係並無限定，但是，例如作為具有單官能之(甲基)丙烯醯基之化合物係列舉苯基苯酚丙烯酸酯、甲氧基聚乙烯丙烯酸酯、丙烯醯氧基乙基琥珀酸酯、脂肪酸丙烯酸酯、甲基丙烯醯氧基乙基苯二甲酸、苯氧基乙二醇甲基丙烯酸酯、脂肪酸甲基丙烯酸酯、β-羧基乙基丙烯酸酯、異冰片丙烯酸酯、異丁基丙烯酸酯、叔-丁基丙烯酸酯、羥基乙基丙烯酸酯、羥基丁基丙烯酸酯、二氫化環戊二乙基丙烯酸酯、環己基甲基丙烯酸酯、叔-丁基甲基丙烯酸酯、二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯、二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯、叔-丁基胺基乙基甲基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯、四氫化糠基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸酯，作為具有2個以上之(甲基)丙烯醯基之化合物係列舉己烷二醇二甲基丙烯酸酯、羥基丙烯醯氧基丙基甲基丙烯酸酯、己烷二醇二丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、雙酚A型環氧丙烯酸酯、變性環氧丙烯酸酯、脂肪酸變性環氧丙烯酸酯、胺變性雙酚A型環氧丙烯酸酯、烯丙基甲基丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二甲基丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯、丙三醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、9,9-雙(4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基)芴、三環癸烷二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、1,1,2-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇聚丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、聚醚三丙烯酸酯、丙三醇丙氧基三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、單季戊四醇丙烯酸酯、二季戊四醇丙烯酸酯、三季戊四醇丙烯酸酯、聚季戊四醇丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯。
    作為使用於本發明之(甲基)丙烯化合物之市面販賣品係列舉Sartomer公司之SR&CD系列之機能性單體、CN系列之機能性環氧丙烯酸酯寡聚物、機能性胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物、共榮社化學股份有限公司之光酯系列、光丙烯酸酯系列、新中村化學工業股份有限公司製之NK酯類等。
    這些(甲基)丙烯化合物係可以僅使用1種，也可以組合2種以上而使用。
    本發明，(甲基)丙烯化合物之含有量係可以根據用途而進行調製，但是，最佳者為相對於組成物之全重量而成為10~90重量%，更佳者為20~60重量%。在(甲基)丙烯化合物之含有量成為該範圍內之時，降低組成物之硬化前之黏度，作業性良好，並且，硬化後之強度也良好。 <(b)馬來酸酐縮亞胺化合物>
    作為包含於本發明組成物之馬來酸酐縮亞胺化合物係並無特別限定，列舉例如以下之化合物。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係在分子中，具有1個以上、最好是1個或2個之部分構造(I)： 所表示之部分構造。R1及R2係表示H、碳數1~6之烷基，或者是R1和R2一起而表示碳數2~6之烷撐基。最好是R1及R2係一起表示H，或者是R1和R2成為一起而表示1,4-丁烯基。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係最好是在室溫成為液體狀，部分構造(I)鍵結之基係馬來酸酐縮亞胺化合物成為液體狀之基，例如將具有為了使得馬來酸酐縮亞胺化合物成為液體狀之充分之長度和支鏈之支化之烷基、烷撐基、烷撐氧化物、烷撐羧基或烷撐醯胺構造等用以含有之有機基。馬來酸酐縮亞胺化合物係具有1個或2個以上之部分構造(I)。具有該基2個之化合物係雙馬來酸酐縮亞胺化合物。此外，1個之馬來酸酐縮亞胺化合物即使不是液體狀，也可混合於其他之馬來酸酐縮亞胺化合物之時或者是混合於其他之成分之時，如果組成物為液體狀的話，則也可以使用。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係部分構造(I)鍵結於烷基或烷撐基(這些基係可以包含雙鍵、飽和脂肪族環)，作為馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化合物。

    特別最好是列舉硬脂醯馬來酸酐縮亞胺、油烯基馬來酸酐縮亞胺、山萮基馬來酸酐縮亞胺和10,11-二辛基二十碳烷之1,20-雙馬來酸酐縮亞胺衍生物等及其組合等。10,11-二辛基二十碳烷之1,20-雙馬來酸酐縮亞胺衍生物係可以由赫格爾(Henckel)公司，以X-BMI之製品名稱得到，由1,20-二胺基-10,11-二辛基-二十碳烷及/或其環狀異性體之二胺，按照美國專利第5973166號記載之方法合成(美國專利第5973166號揭示藉由進行參照而組合至本說明書中)。X-BMI係包含1,20-雙馬來酸酐縮亞胺-10,11-二辛基-二十碳烷{化學式(X-1)所表示之化合物}、1-庚烯馬來酸酐縮亞胺-2-辛烯馬來酸酐縮亞胺-4-辛基-5-庚基環己烷{化學式(X-2)所表示之化合物}、1,2-二辛烯馬來酸酐縮亞胺-3-辛基-4-己基環己烷{化學式(X-3)所表示之化合物}等之1種或2種以上。化學式(X-1)~(X-3)所表示之雙馬來酸酐縮亞胺化合物亦最好單獨使用。
    馬來酸酐縮亞胺化合物係部分構造(I)鍵結於含有烷撐氧化物構造之基，作為馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化合物。
    在化學式中，R係烷撐基，最佳者為乙烯或1,2-丙烯，n係2~40程度之整數，最好是選擇該化合物顯示液體狀之程度之整數以及n之分布。該化合物係可以由大日本油墨化學工業(股)公司製之LUMICURE(註冊商標)MIA200得到。
    作為其他可以使用之馬來酸酐縮亞胺化合物係列舉以下之化學式： 該化合物(3,4,5,6-四氫化酞醯亞胺乙基丙烯酸酯(tetrahydrophthaloimideethylacrylate))。
    前述馬來酸酐縮亞胺化合物亦可以單獨使用，並且，也可以組合2種以上使用。
    本發明，馬來酸酐縮亞胺化合物之含有量係最佳者為相對於組成物之全重量0.1~50重量%，更佳為1~20重量%。在馬來酸酐縮亞胺化合物之含有量為該範圍內時，硬化速度呈良好。
    此外，本發明，組成物之前述(甲基)丙烯化合物及馬來酸酐縮亞胺化合物係藉由加熱至規定之溫度而進行自由基之聚合，但是，此時，也可以藉由僅1種之化合物而進行聚合，使其形成均聚物，並且，也可以聚合2種以上之化合物而形成共聚物。 <(c)具備金屬捕集機能之官能基之粒子>
    本發明之電子裝置用組成物係包含具備金屬捕集機能之官能基之粒子。在本發明之組成物使用於半導體裝置製造之狀態下，如後述，該組成物係塗佈例如配線基板上。此時，為了提高該組成物之流動性，將該組成物也放置於室溫以上之狀態。在此，本發明之組成物係藉由含有金屬捕集機能之官能基之粒子，充分地控制硬化反應之進行，該結果並不影響之後構裝製程作業效率之降低。本發明人推測：該理由係因為在電子裝置之構裝製程，使得本發明之組成物接觸金屬或其離子，特別是銅或銅離子，藉由前述之粒子而進行捕集之緣故。其次，在捕集金屬或其離子之時，也於捕集後，該粒子呈安定狀態，且接著劑組成物之反應、接著性等，也無發生問題。
    作為構成粒子之材料係列舉高分子材料、無機物材料。作為高分子材料係列舉例如由苯乙烯及取代苯乙烯、二乙烯基苯、丙烯酸之酯、甲基丙烯酸之酯、單烯烴性不飽和二羧酸之烷基酯、羧酸之乙烯基酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺以及這些之衍生物而組成之群組來選擇之1種以上單體之聚合物。作為無機物材料係列舉玻璃、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鹽和這些之混合氧化物、以及石墨等。前述之粒子最佳為多孔質。可以由前述之材料，藉著習知之方法而形成多孔質粒子。這些粒子係最好是在其表面，將1種以上之具有金屬捕集機能之官能基予以具備。一般已知：由前述之材料得到之粒子，特別是官能基導入至多孔質粒子之表面(例如參考日本特表2008-502470號公報)。
    作為具有金屬捕集機能之官能基係並無特別限定，列舉羧基、胺基、咪唑基、硫代基、以及來自於這些基之官能基。作為來自於前述官能基之官能基係列舉例如硫脲基、亞胺基二乙酸酯基、胺基甲基磷酸基、苄基胺基、巰基苯基胺基、胺基乙基胺基、咪唑-1-異丙基胺基、胺基丙基、巰基丙基、甲基硫脲基、三胺基。在1個粒子將複數個具備於金屬捕集機能之官能基時，這些官能基係可以一致，也可以不同。
    本發明使用之具有金屬捕集機能之官能基，其粒子之構造及使用量係可以配合用途而適度地調整，充分捕集金屬離子等程度之官能基係可以存在於組成物中，並且，該組成物係可以發揮作為接著劑等之機能。使用於本發明之前述粒子係並無特別限定，但是，乾燥狀態之其表面積最佳例如0.1m2/g以上、更加理想是0.1~3000m2/g、甚至較佳為10~3000m2/g、尤佳為10~2000m2/g。此外，包含於該粒子1g中之官能基數最佳例如1.0×10-7mol/g以上、更加理想是1.0×10-5~1.0×10-1mol/g、甚至較佳為1.0×10-4~1.0×10-2mol/g。此外，本發明之組成物中，具備金屬捕集機能之官能基之粒子之含有量係也根據包含於粒子中之官能基之數目，相對於組成物之全重量最佳例如0.01~20重量%、更加理想是0.1~10重量%。在粒子含有量為該範圍內時，於電子裝置之製造製程，製造出無問題之黏度組成物，可以充分地捕集金屬離子而製造高品質之電子裝置。
    本發明之組成物，前述之粒子最好配合用途成為適當之尺寸。在使用前述之粒子作為電子裝置之底膠之狀態下，最好是小於半導體晶片之元件形成面和配線基板之間隙尺寸，例如平均粒徑最好是50μm以下、更加理想是30μm以下、甚至較佳為20μm以下、特別佳為0.1~10μm。此外，在該粒子之尺寸過度大時，於製造電子裝置之際，該粒子進入至電極連接間，使其無法得到良好之電連接。故可於初期合成此種尺寸，並且進行粉碎，配合需要而進行分級，成為要求之尺寸。
    作為使用具備金屬捕集機能之官能基之粒子之市面販賣品係例如作為包含聚苯乙烯之化合物，列舉Reaxa公司製之QuadraPure(註冊商標)TU、QuadraPure(註冊商標)IDA、QuadraPure(註冊商標)BzA、QuadraPure(註冊商標)EDA、QuadraPure(註冊商標)BdZ、QuadraPure(註冊商標)IMDAZ、QuadraPure(註冊商標)AMPA、QuadraPure(註冊商標)DET、QuadraPure(註冊商標)MPA、QuadraPure(註冊商標)AEA，作為包含二氧化矽凝膠之化合物，列舉QuadraSil(註冊商標)AP、QuadraSil(註冊商標)MTU、QuadraSil(註冊商標)TA、QuadraSil(註冊商標)MP、Aldrich公司製之乙烯二胺三乙酸乙醯胺、聚合物鍵結型(Ethylenediam inetriacetic acid acetamide,polymer-bound)、N,N,N’-三甲基乙烯二胺、聚合物鍵結型(N,N,N’-Trimethylethylenediamine,polymer-bound)等。這些化合物係可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。其中，在使用特別具有銅捕集機能之官能基之粒子時，更容易得到本發明之效果。 <填充物>
    本發明之組成物係包含填充物。可以藉由練合填充物而得到線膨脹係數低、尺寸安定性良好且改善難燃性之電子裝置用組成物。填充物係可以配合用途而選擇絕緣性無機填充物或導電性無機填充物之任何一種。作為絕緣性無機填充物係列舉二氧化矽、矽酸鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化鋁、氮化硼等，特別佳為二氧化矽。作為導電性無機填充物係列舉金屬或碳黑。
    此外，填充物係可以配合需要用於進行表面改質者。市面販賣品係列舉例如三菱化學之「三菱碳黑」系列、旭碳之「旭」系列、河合石灰工業之矽酸鈣「PCM光」系列、氫氧化鋁「ALH」系列、氧化鋁系「Cerasur」、堺化學工業之氧化鈦「STR系列」、二氧化矽「Sciqus系列」、氧化鋅「FINEEX系列」、氧化鎂「SMO系列」、氧化錯「STR系列」、Admatechs公司之二氧化矽、氧化鋁「Admafine」系列、日產化學工業之二氧化矽「Snow Tex」系列、CI化成之包含二氧化矽或氧化鋁之金屬氧化物「NanoTek」系列等。
    使用本發明之組成物製造例如半導體裝置之狀態下，填充物之平均粒徑最佳為小於半導體晶片元件形成面和配線基板之間隙尺寸。在填充物之平均粒徑過度大之時，於製造半導體裝置之際，填充物係進入至金屬連接間，使其無法得到良好之電可靠性，或是破壞晶片。
    填充物之練合量係可以配合用途而進行調整，例如最佳是相對於接著劑組成物之全重量為1~99重量%、更加理想是10~80重量%。於前述範圍內，可以充分得到因填充物之添加產生之效果，並且處理黏度無問題之組成物。 <自由基起始劑>
    本發明之組成物係最好是包含自由基起始劑。使用於本發明之自由基起始劑係最好是熱自由基起始劑，作為熱自由基起始劑係最好是有機過氧化物，選擇在適當之溫度來產生自由基者。
    作為自由基起始劑係並無特別限定，但是，列舉例如二異丁基過氧化物、枯烯基過氧化新癸酸酯、二-n-丙基過氧化碳酸酯、二異丙基過氧化碳酸酯、二-sec-丁基過氧化碳酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化新癸酸酯、二(4-t-丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、t-己基過氧化新癸酸酯、t-丁基過氧化新癸酸酯、t-丁基過氧化新庚酸酯、t-己基過氧化特戊酸酯、t-丁基過氧化特戊酸酯、二(3,5,5-三甲基六壬基)過氧化物、二月桂醯過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化-2-乙基己酸酯、二琥珀酸過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基六壬基過氧化)己烷、t-己基過氧化-2-乙基己酸酯、二(4-甲基苯醯)過氧化物、t-丁基過氧化-2-乙基己酸酯、二苯醯過氧化物、1,1-二(t-丁基過氧化)-2-甲基環己烷、1,1-二(t-己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二(t-己基過氧化)環己烷、1,1-二(t-丁基過氧化)環己烷、2,2-二(4,4-二-(t-丁基過氧化)環己基)丙烷、t-己基過氧化異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧化順丁烯二酸、t-丁基過氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、t-丁基過氧化月桂酸酯、t-丁基過氧化異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧化2-乙基己基單碳酸酯、t-己基過氧化苯甲酸酯、2,5-二-甲基-2,5-二(苯醯過氧化)己烷、t-丁基過氧化乙酸酯、2,2-二(t-丁基過氧化)丁烷、t-丁基過氧化苯甲酸酯、n-丁基-4,4-二-(t-丁基過氧化)戊酸酯、二(2-t-丁基過氧化異丙基)苯、二枯烯基過氧化物、二-t-己基過氧化物、t-丁基枯烯基過氧化物、二-t-丁基過氧化物、p-萜烷氫化過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧化)己烷-3,3,5-二異丙基苯氫化過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基氫化過氧化物、枯烯氫化過氧化物、t-丁基氫化過氧化物、2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等。這些有機過氧化物係購自Akzo Nobel公司、Gio specialities化學公司、Arkema公司、日油股份有限公司、Akzo化藥股份有限公司等。這些係可以單獨使用，也可以併用2種以上。
    自由基起始劑之練合量最佳是相對於組成物之全重量為0.01~10重量%、更加理想是0.1~5重量%。自由基起始劑之練合量為前述之範圍內時，塗佈組成物時之安定性，無問題發生，並且，也無硬化時間需要長時間之問題。
    除了前述之成分以外，本發明之組成物係需要含矽烷偶合劑、橡膠成分、氧化防止劑、耐光安定劑、自由基安定化劑、界面活性劑等之添加劑。藉由矽烷偶合劑、橡膠成分提高組成物之接合性，並且，具有緩和應力或者是減少反應硬化物之彎曲等優點。此外，氧化防止劑、自由基安定化劑係用於延長適用期之狀態。界面活性劑係添加於改善塗佈時之消泡或對於塗佈對象之潤濕性或者是矯平性之狀態。
    藉由矽烷偶合劑練合於組成物中，使其提高接著劑之接合性。
    作為矽烷偶合劑係並無特別限定，但是，列舉例如胺基矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑、脲基矽烷偶合劑、異氰酸酯矽烷偶合劑、乙烯基矽烷偶合劑、(甲基)丙烯矽烷偶合劑、酮亞胺矽烷偶合劑等，其中最好是異氰酸酯矽烷偶合劑、(甲基)丙烯矽烷偶合劑、環氧矽烷偶合劑。這些矽烷偶合劑係購自Toray．Dow Corning公司、信越矽酮公司、松本精密化學公司或東京化成工業公司等。
    矽烷偶合劑之練合量係可以適度地調整，例如最佳是相對於組成物之全重量為0~10重量%、更加理想是0~5重量%。矽烷偶合劑含有量過多時，於覆晶工法之加熱壓合接合之際，由於氣化矽烷偶合劑使其產生空隙。
    橡膠係並無特別限定，列舉例如丙烯橡膠、腈橡膠、丁二烯橡膠、腈丁二烯橡膠等之橡膠製品或低分子量之橡膠用交聯劑。橡膠製品之市面販賣品係列舉例如根上工業公司製之「Paracron RP」系列、Ganz化成公司製之「Stafiloid IM」系列或「Stafiloid AC」系列、ZEON化成公司製之「ZEON」系列、三菱人造絲公司製之「Metablen C/E/W/S/SXSRX」系列。作為低分子量之橡膠用交聯劑之市面販賣品係列舉例如SARTOMER公司製之「Ricon」系列、出光公司製之「poly bd」、「poly ip」系列、「epole」系列、「KRASOL」、日本曹達公司製之「NISSO-PB」系列等。這些係可以單獨使用，也可以併用2種以上。
    此外，也可以使用預先分散橡膠粒子之丙烯系樹脂之市面販賣品，列舉例如根上工業公司製之Paracron SN-50、AS-3000、ME-2000、W-1163、W-248E、W-197C、Precoat 200、Panglong S-2012。
    橡膠之練合量係可以適度地調整，例如最佳是相對於接著劑組成物之全重量為0~30重量%、更加理想是0~20重量%。橡膠含有量過多時，則因過度增加接著劑組成物之黏度而使得處理性變差，或者是不容易混合於其他成分，或者是接著劑之接合性變差等問題發生。
    作為氧化防止劑、自由基安定化劑係列舉例如氫醌類、苯醌類、受阻苯酚類，作為耐光安定劑係列舉例如苯并三唑系、三嗪系、二苯甲酮系、苯甲酸酯系、受阻胺系紫外線吸收劑等。界面活性劑係依目的選擇而由市面販賣之型錄。 <電子裝置用組成物之製造方法>
    本發明之組成物係可以加入前述之各成分以及配合需要之溶劑而均勻地混合來得到。組成物係可以在使用時，調整成為能夠藉由分配器等之塗佈裝置而進行塗佈之黏度，也可以是無溶劑。此外，透過調整組成物中之化合物之選擇以及練合量，亦可調整黏度。本發明之組成物係並無特別限定，例如藉由單獨使用或併用勻化分配器、萬能攪拌器、班伯里(Bumbury)攪拌器、捏和機、2條壓輥、3條壓輥、擠壓機等已習知之各種混練機，均勻地混練規定量之各成分，進行製造。該練機係於常溫或加熱、常壓、減壓或惰性氣體氣流等條件下進行。
    本發明之電子裝置用組成物係並無特別限定，但是，最好是在電子裝置，特別使用包含半導體晶片之裝置作為底膠材(密封材)。 <電子裝置及其製造方法>
    次之，依包含本發明組成物之電子裝置之製造方法而進行說明。電子裝置之製造方法係並無特別限定，但是，最佳為使用覆晶工法。於覆晶工法時，本發明之組成物特別最佳為塗佈於配線基板之電路面上。作為電子裝置之製造方法包含例如(1)本發明之組成物於配線基板之電路面上之塗佈製程；以及(2)塗佈於配線基板組成物之上，配置半導體晶片，並進行半導體晶片和配線基板之電連接以及其間隙之密封之接合．密封製程。以下，就各製程而進行說明。 <(1)塗佈製程>
    在塗佈製程，將本發明之組成物塗佈於配線基板之電路面上。該組成物係可以塗佈於配線基板表面上之整體，並且，也可以僅塗佈在搭載半導體晶片之部分。塗佈方法列舉藉由旋轉塗佈器、分配器、滾筒等而進行塗佈之方法或者是網版印刷等。此外，為了提高組成物之流動性，因此，可以配合需要將使用於塗佈製程之注射器或基板等加溫至室溫以上之溫度。 <(2)接合．密封製程>
    在接合．密封製程，進行半導體元件和配線基板之電連接，同時，藉由本發明之組成物密封半導體元件和電路基板之間隙，製造電子裝置。首先，在配線基板上之塗佈接著劑組成物之部分，配置半導體晶片。同時進行對位而使得配線基板之電路面(即前述塗佈製程所塗佈組成物之面)和半導體晶片之元件形成面呈對向。次之，進行加熱壓合接合。在加熱壓合接合後，以硬化接著劑組成物為目的持續進行加熱。加熱壓合接合之方法一般使用為：使用覆晶接合器進行對位之後，直接進行加熱壓合之方法；或者是使用重熔爐等對於端部對位．臨時搭載，進行加熱連接之方法。此時，使用適合於封裝或密封法分佈熱。此外，晶片之搭載，不僅是覆晶接合器，也可以藉由模接合器等能夠對位者，而進行取代。
    在進行加熱壓合接合時之溫度係並無特別限定，但是，在電極為銲錫凸塊或銲錫裝設凸塊之狀態下，最好是高於其熔點、更加理想是高於其熔點10~100℃之溫度，最佳為200℃以上，更加理想是210~300℃。進行加熱壓合接合之時間係最佳為1~20秒鐘，壓力係最佳為0.1~7MPa。此外，在加熱壓合接合之後，為了完成接著劑組成物之硬化仍進行加熱之時，最好是150~220℃、30~180分鐘。
    藉由前述而得到之電子裝置係可以使用於行動電話、個人電腦、電視等利用半導體晶片許多電子機器。 【實施例】
    以下，將根據實施例而更加詳細說明本發明。但是，本發明係非侷限下列之實施例。
    以下實施例及比較例使用之化合物顯示於表1。
    以下實施例、比較例之裝置等係如下所述。
    (1)電路基板：Waltz股份有限公司製之WALTS-KIT MB50-0102JYCR；襯墊為CuOSP規格。
    (2)半導體晶片：Waltz股份有限公司製之WALTS-TEG MB50-0101JY；搭載由Cu柱墩和銲錫而組成之凸塊544個。
    (前述之(1)電路基板和(2)半導體晶片係藉由兩者之連接而構成菊花瓣(daisy chain)，在連接晶片內之全部凸塊時，可以進行導通。也就是說，即使是544個凸塊內其一無法連接的話，則也藉由導通試驗亦顯示絕緣性。) <底膠接著劑組成物之調製>
    藉由以下方法混合各成分，調製接著劑組成物。於各實施例及比較例，練合之化合物及其練合量(重量%)係如表2所示。
    <實施例1> (組成物之調製)
    如表2所示之化合物為各練合量，藉由3條壓輥均勻進行混練。在真空中對於這個進行除氣，調製接著劑組成物A。
    在120℃之烤爐中對於電路基板進行1小時加熱後，使用自動分配器在電路基板上，塗佈前述組成物A，得到塗佈接著劑組成物A之電路基板B。 (電子裝置之構裝)
    得到電路基板B之即刻後(放置時間0分鐘)或於80℃之加熱板上放置15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、90分鐘之後，使用具備脈衝加熱機能之覆晶接合器，進行半導體晶片和電路基板B之對位，壓接，接著，藉由脈衝加熱至240℃，進行熱壓合。然後，藉由烤爐設定在150℃、1小時，硬化組成物A得到電子裝置C。 (導通試驗)
    調查前述得到之電子裝置C之導通性時，在80℃加熱板上之放置時間即使為任一狀態，也使得導通性呈良好(表3)。也就是說，半導體晶片上544個之凸塊全部連接。因此，實施例1之組成物係顯示即使是放置在80℃之加熱板上，仍保持可作業之液體狀性。
    <實施例2~實施例11>
    除了如表2改變練合組成物之各成分以外，其餘由相同實施例1之方法製造電子裝置。即使是在實施例2至實施例11，同樣在80℃放置塗佈組成物之電路基板0分鐘、15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、90分鐘之後，調查製造電子裝置之導通性。結果，全部之狀態皆得到良好之導通性。 <比較例1>
    如表2改變練合組成物之各成分，不練合馬來酸酐縮亞胺化合物和金屬捕集劑，以相同實施例1之方法製造電子裝置。即使是在比較例1，在80℃放置塗佈組成物之電路基板0分鐘、15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘、90分鐘之後，調查製造電子裝置之導通性。結果，電子裝置係不置於80℃(放置時間0分鐘)製造出之電子裝置之導通性呈良好，但是，這個以外之狀態係無法全部得到導通性(表4)。因此，比較例1之組成物顯示藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。
    <比較例2>
    如表2改變練合組成物之各成分，不練合金屬捕集劑，以相同實施例1之方法製造電子裝置。即使是在比較例2，與相同之實施例1調查導通性。結果，電子裝置係不置於80℃(放置時間0分鐘)製造出之電子裝置之導通性呈良好，但是，這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)係無法全部得到導通性。比較例2之組成物係也印証藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。 <比較例3>
    如表4而改變練合於組成物之各成分，使用IXE作為金屬捕集劑，以相同實施例1之方法製造電子裝置。即使是在比較例3，與相同之實施例1調查導通性。結果，電子裝置係不置於80℃(放置時間0分鐘)製造出之電子裝置之導通性呈良好，但是，這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)係無法全部得到導通性。比較例3之組成物係也印証藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。 <比較例4>
    如表2而改變練合於組成物之各成分，使用檸檬酸作為金屬捕集劑，以相同之實施例1之方法製造電子裝置。即使是在比較例4，與相同之實施例1調查導通性。結果，電子裝置係不置於80℃(放置時間為0分鐘)進行製造，電子裝置之導通性呈良好，但是，在這個以外之狀態(放置於80℃之狀態)，無法全部得到導通性。印証：比較例4之組成物藉由放置於80℃而進行組成物之硬化，無法得到良好之導通性。
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種電子裝置用組成物，其特徵為，包含(a)(甲基)丙烯化合物、(b)馬來酸酐縮亞胺化合物和(c)具有金屬捕集機能之官能基之粒子。
    [2] 根據申請專利範圍第1項所述之電子裝置用組成物，其中，前述之具有金屬捕集機能之官能基係選自羧基、胺基和咪唑基組成之群組。
    [3] 根據申請專利範圍第1項或第2項之電子裝置用組成物，其中，前述之粒子係具備金屬捕集機能之官能基之多孔質聚苯乙烯及/或二氧化矽凝膠。
    [4] 根據申請專利範圍第1項至第3項中任一項之電子裝置用組成物，其中，前述之馬來酸酐縮亞胺化合物係包含雙馬來酸酐縮亞胺。
    [5] 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項之電子裝置用組成物，其中，包含自由基起始劑。
    [6] 根據申請專利範圍第1項至第5項中任一項之電子裝置用組成物，其中，使用作為底膠材。
    [7] 根據申請專利範圍第1項至第6項中任一項之電子裝置用組成物，其中，使用於覆晶構裝。
    [8] 一種電子裝置，其特徵為，包含申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之電子裝置用組成物。
    [9] 一種電子機器，其特徵為，包含申請專利範圍第8項所述之電子裝置。
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